Южнокорейский электронный гигант Samsung Electronics объявил о начале серийного производства встраиваемых модулей флеш-памяти eUFS 2.1 емкостью в один терабайт. Именно таким объемом памяти, как уверены в руководстве Samsung, будут оснащаться смартфоны следующего поколения.
Скорость накопителей, о которых идет речь, вполне сравнима с показателями, демонстрируемыми твердотельными дисками, устанавливаемыми в ноутбуки премиум-сегмента.
Модуль eUFS 2.1 на 1 Тбайт, массовое производство которого начала компания Samsung Electronics, основан на памяти типа V-NAND, сочетаемой с новейшим контроллером.
Размеры модуля — одиннадцать с половиной на тринадцать миллиметров. Последовательное чтение данных с модуля может осуществляться со скоростью в районе 1000 мегабайт в секунду. Последовательная запись несколько медленнее — 260 МБ/с.
Предполагается, что новые модули флеш-памяти будут устанавливаться в топовые модификации смартфонов Galaxy S10, которые "Самсунг" должна анонсировать в конце февраля.
