В России создадут аналоги западных установок для производства чипов почти за 2 млрд рублей
Кодик кратко объясняет суть статьи
Минпромторг запустил два проекта по созданию отечественного оборудования для эпитаксии — ключевого этапа производства микросхем — на общую сумму около 2 млрд рублей. Проект «Эпитаксия-SiGe» (463,7 млн рублей) предусматривает разработку установки для выращивания кремний-германиевых слоёв на 200-мм пластинах методом газофазной эпитаксии, заменяя нидерландские системы ASM Epsilon 2000. Второй проект, «Цитадель» (1,5 млрд рублей), направлен на создание установки молекулярно-лучевой эпитаксии для гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида, что позволит заменить оборудование французской Riber и американской Veeco, используемое в высокочастотной и оптоэлектронике. Оба проекта требуют преимущественного использования отечественных компонентов, включая вакуумные системы, источники, контроллеры и ПО, с допуском импортных деталей только в исключительных случаях. Работы завершатся к 2029–2030 годам и входят в программу импортозамещения полупроводникового оборудования, в рамках которой также разрабатывается аналог японского микроскопа Hitachi для контроля микросхем.
Читайте в Telegram
|
Минпромторг запустил два проекта по импортозамещению оборудования для эпитаксии — ключевого этапа изготовления микросхем. Отечественные установки должны заменить системы из США, Франции и Нидерландов, поставки которых в Россию прекращены.
Минпромторг профинансирует разработку российского оборудования для эпитаксии — технологии выращивания на полупроводниковой пластине тонких слоёв материалов, без которой невозможно изготовление современных микросхем. Как выяснил CNews, два запущенных проекта должны заменить установки американской Veeco, французской Riber и нидерландской ASM, поставки которых в Россию заблокированы из-за санкций. Суммарно на оба проекта выделено около 2 млрд рублей.
Первый проект — «Эпитаксия-SiGe» с бюджетом 463,7 млн рублей. В его рамках нужно создать установку для выращивания слоёв кремний-германия на кремниевых пластинах диаметром 200 мм методом газофазной эпитаксии — аналог нидерландской системы ASM Epsilon 2000. По техническому заданию исполнитель должен разработать реактор, робот-загрузчик и модуль очистки поверхности пластин перед нанесением слоёв. Срок завершения — июнь 2029 года.
Второй проект, «Цитадель», получил 1,5 млрд рублей. Это установка молекулярно-лучевой эпитаксии для получения гетероструктур на основе соединений индия, алюминия, галлия и арсенида — такие материалы используются в высокочастотной и оптоэлектронике. Российская система должна заменить оборудование Riber 49 из Франции и Veeco GEN200 из США. Работы планируется завершить к октябрю 2030 года.
