Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ
Южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового формата DDR5 с максимально возможным объемом до 512 ГБ. Данное решение будет прежде всего ориентировано на использование в различных суперкомпьютерах и ЦОД.
Производитель отметил, что модуль выполнен по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Именно она предусматривает применение диэлектриков в производстве.
Сама технология HKMG представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. С 2018 года технологию применяют для производства чипов памяти GDDR6, которые применяются в современных видеокартах.
Один модуль ОЗУ нового типа объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это позволяет использовать максимально 512 ГБ ОЗУ и частоту до 7200 МГц. Важно отметить, что вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом на 13% меньше электроэнергии.
Как и было отмечено ранее, новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных.
