Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ
Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ

Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ

26 марта, 20211 минута на чтение
Подписывайтесь на [Код // Дурова] в Telegram[Код // Дурова] в Telegram

Южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового формата DDR5 с максимально возможным объемом до 512 ГБ. Данное решение будет прежде всего ориентировано на использование в различных суперкомпьютерах и ЦОД.

Производитель отметил, что модуль выполнен по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Именно она предусматривает применение диэлектриков в производстве.

Сама технология HKMG представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. С 2018 года технологию применяют для производства чипов памяти GDDR6, которые применяются в современных видеокартах.

Один модуль ОЗУ нового типа объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это позволяет использовать максимально 512 ГБ ОЗУ и частоту до 7200 МГц. Важно отметить, что вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом на 13% меньше электроэнергии.

Как и было отмечено ранее, новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных.

26 марта, 2021
Подписывайтесь на [Код // Дурова] в Telegram[Код // Дурова] в Telegram
Показать все